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王岸然很清楚，光刻機想在短時間取得突破，可能性幾乎為零。

浸入式光刻機技術也是渺茫，雙工臺的難度等級甚至比光刻機還要難。

可以預見的是，依靠先進裝置提升工藝幾乎不可能。

王岸然現在要做的，就是在現有的裝置條件下，如何提升製造工藝。

這並不是不可能的，多重曝光，對準雙重成像技術SADP都能有效的提升工藝水平。

當然王岸然的目標不僅僅如此，FinFET技術只是開始，既然在單面積平面上整合的電晶體數量無法達到世界行業水平，那麼只能在空間上想想辦法。

電晶體的空間堆疊就是方向之一，也就是俗稱的3D電晶體。

在普通人眼中，3D電晶體是非常高大上的技術，事實上這項技術也是非常高大上。

簡單來說，3D電晶體就是搭積木一樣，將氧化層、半導體層、金屬層一層一層的堆疊，形成各種邏輯電路。

在實際操作中就是在已經蝕刻好的電晶體電路上塗上保護層，然後用物理氣相沉積法，或者其他物理化學處理辦法。

在保護層上，再沉積一層材料，對沉積的材料進行光刻、蝕刻、清洗等工序，完成後再重複這樣的過程。

由於工序的顯著增多，加上上下層之間的電路很多是相通的，這就引來兩大技術難點。

其一就是每一道工序都有一定的機率出現誤差，疊加之後，誤差會有顯著的放大效應，直接結果就是良品率急劇下降。

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